![Предлагаемые учёными МФТИ плёнки могут стать основой для ReRAM Предлагаемые учёными МФТИ плёнки могут стать основой для ReRAM](https://www.msau.ru/wp-content/uploads/2020/01/326.-tekhnologicheskiy-modul-molekulyarno_sloevogo-osazhdeniya-tonkikh-plyenok-sunale-r_100-_-3-278x173.jpg)
Учёные из Центра коллективного пользования МФТИ научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых методом атомно-слоевого осаждения. Такие покрытия могут стать основой для создания перспективного типа энергонезависимой памяти. Статья опубликована в журнале ACS Applied Materials and Interfaces.
Хотите память, быструю, как оперативная, но энергонезависимую и ёмкую, как флеш-память?...
подробнее » Иллюстрация к статье:
Обсуждение